安森美半導體推出新的 900V 和 1200V SiC MOSFET 用于高要求的應用
2020年3月11日?— 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON），推出另兩個碳化硅（SiC）?MOSFET系列，擴展了其寬禁帶（WBG）器件系列。?這些新器件適用于各種高要求的高增長應用，包括太陽能逆變器、電動汽車（EV）車載充電、不間斷電源（UPS）、服務器電源和EV充電樁，提供的性能水平是硅（Si）?MOSFET根本無法實現(xiàn)的。
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安森美半導體的新的1200伏（V）和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開關性能和更高的可靠性。快速本征二極管具有低反向恢復電荷，顯著降低損耗，提高工作頻率以及整體方案的功率密度。
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小芯片尺寸進一步增強高頻工作，達至更小的器件電容和更低的門極電荷-Qg（低至220 nC），從而降低在高頻下工作時的開關損耗。這些增強功能比基于Si的MOSFET提高能效，降低電磁干擾（EMI），并可使用更少（或更小）的無源器件。極強固的SiC MOSFET比Si器件提供更高的浪涌額定值、更好的雪崩能力和更高的抗短路性能，從而提供更高的可靠性和更長的使用壽命，這對高要求的現(xiàn)代電源應用至關重要。較低的正向電壓提供無閾值的導通狀態(tài)特性，減少器件導通時產(chǎn)生的靜態(tài)損耗。
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1200 V器件的額定電流高達103 A（最大ID），而900 V器件的額定電流高達118 A。對于需要更高電流的應用，安森美半導體的MOSFET可易于并聯(lián)運行，因其正溫系數(shù)/不受溫度影響。
安森美半導體電源方案部功率MOSFET分部副總裁/總經(jīng)理Gary Straker針對新的SiC MOSFET器件說：“如果設計工程師要達到現(xiàn)代可再生能源、汽車、IT和電信應用要求的具挑戰(zhàn)性的高能效和功率密度目標，他們需要高性能、高可靠性的MOSFET器件。安森美半導體的WBG SiC MOSFET提升性能至超越硅器件所能提供的，包括更低的損耗，更高的工作溫度，更快的開關速度，改善的EMI和更高的可靠性。安森美半導體為進一步支援工程界，還提供廣泛的資源和工具，簡化和加速設計流程。”
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安森美半導體的所有SiC MOSFET都不含鉛和鹵化物，針對汽車應用的器件都符合AEC-Q100車規(guī)和生產(chǎn)件批準程序（PPAP）。所有器件都采用行業(yè)標準的TO-247或D2PAK封裝。
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更多資源及文檔：
登陸頁：寬禁帶
視頻：寬禁帶（WBG）用于太陽能和可再生能源應用，寬禁帶用于混動/電動（HEV/EV）充電應用
關于安森美半導體
安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON）致力于推動高能效電子的創(chuàng)新，使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導體領先于供應基于半導體的方案，提供全面的高能效電源管理、模擬、傳感器、邏輯、時序、互通互聯(lián)、分立、系統(tǒng)單芯片（SoC）及定制器件陣容。公司的產(chǎn)品幫助工程師解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、醫(yī)療、航空及國防應用的獨特設計挑戰(zhàn)。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質(zhì)項目，一套強有力的守法和道德規(guī)范計劃，及在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設計中心在內(nèi)的業(yè)務網(wǎng)絡。更多信息請訪問http://www.onsemi.cn。
安森美半導體和安森美半導體圖標是 Semiconductor Components Industries, LLC的注冊商標。所有本文中出現(xiàn)的其它品牌和產(chǎn)品名稱分別為其相應持有人的注冊商標或商標。雖然公司在本新聞稿提及其網(wǎng)站，但此稿并不包含其網(wǎng)站中有關的信息。
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安森美半導體的新的1200伏（V）和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開關性能和更高的可靠性。快速本征二極管具有低反向恢復電荷，顯著降低損耗，提高工作頻率以及整體方案的功率密度。
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小芯片尺寸進一步增強高頻工作，達至更小的器件電容和更低的門極電荷-Qg（低至220 nC），從而降低在高頻下工作時的開關損耗。這些增強功能比基于Si的MOSFET提高能效，降低電磁干擾（EMI），并可使用更少（或更小）的無源器件。極強固的SiC MOSFET比Si器件提供更高的浪涌額定值、更好的雪崩能力和更高的抗短路性能，從而提供更高的可靠性和更長的使用壽命，這對高要求的現(xiàn)代電源應用至關重要。較低的正向電壓提供無閾值的導通狀態(tài)特性，減少器件導通時產(chǎn)生的靜態(tài)損耗。
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1200 V器件的額定電流高達103 A（最大ID），而900 V器件的額定電流高達118 A。對于需要更高電流的應用，安森美半導體的MOSFET可易于并聯(lián)運行，因其正溫系數(shù)/不受溫度影響。
安森美半導體電源方案部功率MOSFET分部副總裁/總經(jīng)理Gary Straker針對新的SiC MOSFET器件說：“如果設計工程師要達到現(xiàn)代可再生能源、汽車、IT和電信應用要求的具挑戰(zhàn)性的高能效和功率密度目標，他們需要高性能、高可靠性的MOSFET器件。安森美半導體的WBG SiC MOSFET提升性能至超越硅器件所能提供的，包括更低的損耗，更高的工作溫度，更快的開關速度，改善的EMI和更高的可靠性。安森美半導體為進一步支援工程界，還提供廣泛的資源和工具，簡化和加速設計流程。”
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安森美半導體的所有SiC MOSFET都不含鉛和鹵化物，針對汽車應用的器件都符合AEC-Q100車規(guī)和生產(chǎn)件批準程序（PPAP）。所有器件都采用行業(yè)標準的TO-247或D2PAK封裝。
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關于安森美半導體
安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON）致力于推動高能效電子的創(chuàng)新，使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導體領先于供應基于半導體的方案，提供全面的高能效電源管理、模擬、傳感器、邏輯、時序、互通互聯(lián)、分立、系統(tǒng)單芯片（SoC）及定制器件陣容。公司的產(chǎn)品幫助工程師解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、醫(yī)療、航空及國防應用的獨特設計挑戰(zhàn)。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質(zhì)項目，一套強有力的守法和道德規(guī)范計劃，及在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設計中心在內(nèi)的業(yè)務網(wǎng)絡。更多信息請訪問http://www.onsemi.cn。
安森美半導體和安森美半導體圖標是 Semiconductor Components Industries, LLC的注冊商標。所有本文中出現(xiàn)的其它品牌和產(chǎn)品名稱分別為其相應持有人的注冊商標或商標。雖然公司在本新聞稿提及其網(wǎng)站，但此稿并不包含其網(wǎng)站中有關的信息。